活存储内存

产品编号 : MT44K/MT49H series

品牌 :

主要参数

  • 类型: 活存储, DRAM
“我们的减少潜伏微量(rldram®记忆)是快速地提供象近程攻击随机存取并且赶过被承受的高带宽的甚而前进ddr3的一种高性能,高密度记忆解答。rldram使用创新电路设计使时间减到最小通入周期的第一数据是可利用的起点和瞬时之间。这些特征做出rldram10gbe、40gbe和100gbe小包中间转换和检查的一个理想的选择,并且它在各种各样的fpgas和网络处理器solutions.<\/html>支持”

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